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單晶薄膜（mó）碳化矽片高溫燒結電爐
作者： 發布時（shí）間：2023-05-15 瀏覽次數：632
碳化（huà）矽外延（yán）片是指在碳化矽襯底上生長了（le）一層有一定要求的、與（yǔ）襯底晶向相同的單晶薄膜（外（wài）延層）的碳化（huà）矽片。 SiC器件（jiàn）是指以（yǐ）碳化矽為原材料製成的器件，按照電阻性能的不同分為導電型碳化矽（guī）功率器件和半（bàn）絕緣型碳化矽（guī）基射頻器件。SiC器（qì）件在高溫、高壓、高頻、大功率電子器件領域和航天（tiān）、軍工、核能等（děng）極端環境應用領域有著不可替代的優勢，彌補了傳統（tǒng）半導體材料器件在實際應用（yòng）中的缺陷，正逐漸成為功率半（bàn）導體的主流。
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